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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > A2T18S160W31GSR3
A2T18S160W31GSR3
Modello di prodotti:
A2T18S160W31GSR3
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
IC TRANS RF LDMOS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
75775 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.A2T18S160W31GSR3.pdf2.A2T18S160W31GSR3.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:NI-780GS-2L2LA
Serie:-
Alimentazione - uscita:32W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:NI-780GS-2L2LA
Altri nomi:935312705128
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:19.9dB
Frequenza:1.88GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA
Valutazione attuale:-
Corrente - Test:1A
Email:[email protected]

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