A2T18S160W31GSR3 - NXP Semiconductors / Freescale الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف

A2T18S160W31GSR3

رقم القطعة:: A2T18S160W31GSR3

الصانع:: NXP Semiconductors / Freescale

وصف:: IC TRANS RF LDMOS

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 75775 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: 1.A2T18S160W31GSR3.pdf 2.A2T18S160W31GSR3.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر A2T18S160W31GSR3 وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ A2T18S160W31GSR3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على A2T18S160W31GSR3 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
الجهد - اختبار:	28V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	NI-780GS-2L2LA
سلسلة:	-
مخرج قوي:	32W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	NI-780GS-2L2LA
اسماء اخرى:	935312705128
الضوضاء الشكل:	-
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
ربح:	19.9dB
تردد:	1.88GHz
وصف تفصيلي:	RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA
التصويت الحالي:	-
الحالي - اختبار:	1A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لA2T18S160W31GSR3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
A2T20H160W04NR3	NXP Semiconductors / Freescale	RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4	تحقيق
A2T18S261W12NR3	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T18H455W23NR6	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T18H100-25SR3	NXP Semiconductors / Freescale	FET RF 2CH 65V 1.81GHZ	تحقيق
A2T18S166W12SR3	NXP Semiconductors / Freescale	FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2	تحقيق
A2T18S260W12NR3	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T09VD300NR1	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T18S260-12SR3	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T08VD021NT1	NXP Semiconductors / Freescale	AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8	تحقيق
A2T18S165-12SR3	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T09D400-23NR6	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T18S162W31GSR3	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T09VD250NR1	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T18H450W19SR6	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T18S262W12NR3	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T18H410-24SR6	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T14H450-23NR6	NXP Semiconductors / Freescale	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	تحقيق
A2T18S160W31SR3	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T18H160-24SR3	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
A2T18S162W31SR3	NXP Semiconductors / Freescale	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار