2SK2883(TE24L,Q)
Modèle de produit:
2SK2883(TE24L,Q)
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
68127 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.2SK2883(TE24L,Q).pdf2.2SK2883(TE24L,Q).pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220SM
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):75W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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