2SK2883(TE24L,Q)
Modelo do Produto:
2SK2883(TE24L,Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
68127 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.2SK2883(TE24L,Q).pdf2.2SK2883(TE24L,Q).pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SM
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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