2SK2883(TE24L,Q)
Número de pieza:
2SK2883(TE24L,Q)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
68127 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
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Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SM
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):75W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción detallada:N-Channel 800V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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