2SK2883(TE24L,Q)
Modello di prodotti:
2SK2883(TE24L,Q)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
68127 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
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introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220SM
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.6 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:750pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):800V
Descrizione dettagliata:N-Channel 800V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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