| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - inversa de pico (máxima): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 10A (DC) |
| Tensión - Desglose: | PG-TO247-3 |
| Serie: | thinQ!™ |
| Estado RoHS: | Tube |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F: | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Polarización: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | IDW10G65C5 IDW10G65C5-ND SP000937038 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 0ns |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IDW10G65C5FKSA1 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO247-3 |
| configuración de diodo: | 400µA @ 650V |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO247-3 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1.7V @ 10A |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 650V |
| Capacitancia Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
