TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X
Varenummer:
TK12A80W,S4X
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Blyfri / RoHS-kompatibel
Antal:
35408 Pieces
Leveringstid:
1-2 days
Datablad:
TK12A80W,S4X.pdf

Introduktion

TK12A80W,S4X bedste pris og hurtig levering.
BOSER Technology er distributør for TK12A80W,S4X, vi har bestande til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan for TK12A80W,S4X via e-mail, vi vil give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Vores email: [email protected]

specifikationer

Tilstand New and Original
Oprindelse Contact us
Distributør Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 570µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220SIS
Serie:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max):45W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3 Full Pack
Andre navne:TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
Driftstemperatur:150°C
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Blyfri Status / RoHS Status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):800V
Detaljeret beskrivelse:N-Channel 800V 11.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer