TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X
Part Number:
TK12A80W,S4X
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
35408 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
TK12A80W,S4X.pdf

Wprowadzenie

TK12A80W,S4X najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem TK12A80W,S4X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu TK12A80W,S4X pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 570µA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220SIS
Seria:DTMOSIV
RDS (Max) @ ID, Vgs:450 mOhm @ 5.8A, 10V
Strata mocy (max):45W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3 Full Pack
Inne nazwy:TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
temperatura robocza:150°C
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1400pF @ 300V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:23nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):800V
szczegółowy opis:N-Channel 800V 11.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze