TK12A80W,S4X
TK12A80W,S4X
Modèle de produit:
TK12A80W,S4X
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité:
35408 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TK12A80W,S4X.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 570µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220SIS
Séries:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 5.8A, 10V
Dissipation de puissance (max):45W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack
Autres noms:TK12A80W,S4X(S
TK12A80WS4X
Température de fonctionnement:150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 300V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 11.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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