TK13A50DA(STA4,Q,M
TK13A50DA(STA4,Q,M
Part Number:
TK13A50DA(STA4,Q,M
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Ilość:
56359 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
1.TK13A50DA(STA4,Q,M.pdf2.TK13A50DA(STA4,Q,M.pdf

Wprowadzenie

TK13A50DA(STA4,Q,M najlepsza cena i szybka dostawa.
BOSER Technology jest dystrybutorem TK13A50DA(STA4,Q,M, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne na długi czas dostawy. Prześlij nam swój plan zakupu TK13A50DA(STA4,Q,M pocztą elektroniczną, a my damy Ci najlepszą cenę zgodnie z Twoim planem.
Nasz e-mail: [email protected]

Specyfikacje

Stan New and Original
Pochodzenie Contact us
Dystrybutor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (maks.):±30V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220SIS
Seria:π-MOSVII
RDS (Max) @ ID, Vgs:470 mOhm @ 6.3A, 10V
Strata mocy (max):45W (Tc)
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-3 Full Pack
Inne nazwy:TK13A50DA(STA4QM
TK13A50DASTA4QM
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:1550pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:28nC @ 10V
Rodzaj FET:N-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):500V
szczegółowy opis:N-Channel 500V 12.5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:12.5A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze