SI5414DC-T1-GE3
SI5414DC-T1-GE3
Artikelnummer:
SI5414DC-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
81149 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI5414DC-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:17 mOhm @ 9.9A, 4.5V
Verlustleistung (max):2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):20V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 20V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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