SI5402DC-T1-GE3
SI5402DC-T1-GE3
Artikelnummer:
SI5402DC-T1-GE3
Hersteller:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
78514 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
SI5402DC-T1-GE3.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:1206-8 ChipFET™
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:35 mOhm @ 4.9A, 10V
Verlustleistung (max):1.3W (Ta)
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:4.9A (Ta)
Email:[email protected]

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