SI5402DC-T1-GE3
SI5402DC-T1-GE3
型號:
SI5402DC-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
78514 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SI5402DC-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA (Min)
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:1206-8 ChipFET™
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:35 mOhm @ 4.9A, 10V
功率耗散(最大):1.3W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SMD, Flat Lead
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
電流 - 25°C連續排水(Id):4.9A (Ta)
Email:[email protected]

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