| Bedingung | New and Original |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Verteiler | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® ChipFet Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 7A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Andere Namen: | SI5429DU-T1-GE3DKR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 2320pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 63nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 12A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
