FDD9409L-F085
Artikelnummer:
FDD9409L-F085
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Anzahl:
44198 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDD9409L-F085.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252, (D-Pak)
Serie:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max):150W (Tj)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:FDD9409L-F085OSCT
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status:Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):40V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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