FDD9409L-F085
Modèle de produit:
FDD9409L-F085
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Quantité:
44198 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
FDD9409L-F085.pdf

introduction

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Spécifications

État New and Original
Origine Contact us
Distributeur Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-252, (D-Pak)
Séries:PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max):150W (Tj)
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms:FDD9409L-F085OSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Statut sans plomb:Lead free
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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