FDD9409L-F085
Modello di prodotti:
FDD9409L-F085
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM
Quantità:
44198 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD9409L-F085.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:2.6 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):150W (Tj)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FDD9409L-F085OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo:Lead free
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3360pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 90A (Tc) 150W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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