FDD9407_SN00283
Modello di prodotti:
FDD9407_SN00283
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
38105 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDD9407_SN00283.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-PAK (TO-252AA)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:2 mOhm @ 80A, 10V
Dissipazione di potenza (max):227W (Tc)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6390pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione dettagliata:N-Channel 40V 100A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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