FDD8896-F085
Artikelnummer:
FDD8896-F085
Hersteller:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Bleifrei / RoHS-konform
Anzahl:
79189 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
FDD8896-F085.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-252AA
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.7 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max):80W (Tc)
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen:FDD8896-F085CT
FDD8896_F085CT
FDD8896_F085CT-ND
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:29 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:2525pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):30V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 30V 17A (Ta), 94A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:17A (Ta), 94A (Tc)
Email:[email protected]

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