W632GU6AB-12 - Winbond Electronics Corporation ذاكرة

W632GU6AB-12

رقم القطعة:: W632GU6AB-12

الصانع:: Winbond Electronics Corporation

وصف:: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

[LeadFreeStatus]未找到翻译: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

كمية:: 50722 Pieces

موعد التسليم:: 1-2 days

ورقة البيانات:: W632GU6AB-12.pdf

تحقيق

المقدمة

أفضل سعر W632GU6AB-12 وسرعة التسليم.

BOSER Technology هو الموزع لـ W632GU6AB-12 ، لدينا مخزون للشحن الفوري ومتوفر أيضًا لفترة طويلة. الرجاء إرسال خطة الشراء الخاصة بك للحصول على W632GU6AB-12 عبر البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل سعر وفقًا لخطتك.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط	New and Original
الأصل	Contact us
موزع	Boser Technology
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:	-
الجهد - توريد:	1.283 V ~ 1.45 V
تكنولوجيا:	SDRAM - DDR3
سلسلة:	-
درجة حرارة التشغيل:	0°C ~ 95°C (TC)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):	3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:	Volatile
حجم الذاكرة:	2Gb (128M x 16)
واجهة الذاكرة:	Parallel
تنسيق الذاكرة:	DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:	Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:	SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
تردد على مدار الساعة:	800MHz
وقت الدخول:	20ns
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لW632GU6AB-12

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
W632GG8MB-15 TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W632GU6KB12I	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GG8MB-12 TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA	تحقيق
W632GG8MB12I TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W632GU6KB-12	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GU6AB-15	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W632GU6KB-11	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W632GU6KB-15 TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GU6KB12J	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق
W632GU6AB-11	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W632GU6KB-15	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GU6KB-12 TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GU6KB11I	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W632GG8MB-11 TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ	تحقيق
W632GG8MB-12	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA	تحقيق
W632GG8MB-15	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W632GG8MB15I TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W632GU6KB12I TR	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA	تحقيق
W632GG8MB15I	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ	تحقيق
W632GG8MB12I	Winbond Electronics Corporation	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار