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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > W632GU6AB-12
W632GU6AB-12
Modello di prodotti:
W632GU6AB-12
fabbricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrizione:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
50722 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
W632GU6AB-12.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.283 V ~ 1.45 V
Tecnologia:SDRAM - DDR3
Serie:-
temperatura di esercizio:0°C ~ 95°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:2Gb (128M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Frequenza dell'orologio:800MHz
Tempo di accesso:20ns
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
W632GG8MB-15 TR Image W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Inchiesta
W632GU6KB12I Image W632GU6KB12I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Inchiesta
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W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Inchiesta
W632GU6KB-12 Image W632GU6KB-12 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Inchiesta
W632GU6AB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Inchiesta
W632GU6KB-11 Image W632GU6KB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Inchiesta
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W632GU6KB12J Image W632GU6KB12J Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Inchiesta
W632GU6AB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Inchiesta
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W632GU6KB-12 TR Image W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Inchiesta
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