Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Sirkuit Terpadu (IC) > Ingatan > W632GU6AB-12
W632GU6AB-12
Nomor bagian:
W632GU6AB-12
Pabrikan:
Winbond Electronics Corporation
Deskripsi:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas:
50722 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
W632GU6AB-12.pdf
Penyelidikan

pengantar

W632GU6AB-12 harga terbaik dan pengiriman cepat.
BOSER Technology adalah distributor untuk W632GU6AB-12, kami memiliki stok untuk pengiriman segera dan juga tersedia untuk pasokan lama. Silakan kirim rencana pembelian Anda untuk W632GU6AB-12 melalui email, kami akan memberikan harga terbaik sesuai rencana Anda.
Email kami: [email protected]

Spesifikasi

Kondisi New and Original
Asal Contact us
Distributor Boser Technology
Tulis Siklus Waktu - Kata, Halaman:-
Tegangan - Pasokan:1.283 V ~ 1.45 V
Teknologi:SDRAM - DDR3
Seri:-
Suhu Operasional:0°C ~ 95°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
memory Type:Volatile
Ukuran memori:2Gb (128M x 16)
Antarmuka Memori:Parallel
Format Memori:DRAM
Status Gratis Memimpin / Status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Detil Deskripsi:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Frekuensi Jam:800MHz
Waktu akses:20ns
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk W632GU6AB-12

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
W632GG8MB-15 TR Image W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W632GU6KB12I Image W632GU6KB12I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GG8MB-12 TR Image W632GG8MB-12 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Penyelidikan
W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W632GU6KB-12 Image W632GU6KB-12 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GU6AB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W632GU6KB-11 Image W632GU6KB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GU6KB-15 TR Image W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GU6KB12J Image W632GU6KB12J Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan
W632GU6AB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GU6KB-15 Image W632GU6KB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GU6KB-12 TR Image W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GG8MB-11 TR Image W632GG8MB-11 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Penyelidikan
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Penyelidikan
W632GG8MB-15 Image W632GG8MB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Penyelidikan
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Penyelidikan
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Penyelidikan

Latest Berita