Български език
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
За нас | Свържете се с нас | Заявете оферта |
У дома > Продукти > Интегрални схеми (интегрални схеми) > памет > W632GU6AB-12
W632GU6AB-12
Номер на частта:
W632GU6AB-12
Производител:
Winbond Electronics Corporation
описание:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без олово / RoHS съвместим
количество:
50722 Pieces
Време за доставка:
1-2 days
Информационен лист:
W632GU6AB-12.pdf
Разследване

Въведение

W632GU6AB-12 най-добра цена и бърза доставка.
BOSER Technology е дистрибутор за W632GU6AB-12, ние имаме запаси за незабавно изпращане и също така на разположение за дълго време доставка. Моля, изпратете ни план за покупка за W632GU6AB-12 по имейл, ние ще ви дадем най-добрата цена според вашия план.
Нашата електронна поща: [email protected]

Спецификации

състояние New and Original
произход Contact us
Дистрибутор Boser Technology
Пишете време за цикъл - Word, Page:-
Напрежение - Доставка:1.283 V ~ 1.45 V
технология:SDRAM - DDR3
серия:-
Работна температура:0°C ~ 95°C (TC)
Ниво на чувствителност към влага (MSL):3 (168 Hours)
Тип памет:Volatile
Размер на паметта:2Gb (128M x 16)
Интерфейс на паметта:Parallel
Формат на паметта:DRAM
Статус за свободно състояние / състояние на RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробно описание:SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
Честота на часовника:800MHz
Време за достъп:20ns
Email:[email protected]

Бързо заявка за оферта

Номер на частта
количество
Компания
Електронна поща
телефон
Коментари

Свързани части за W632GU6AB-12

Изображение Номер на частта Производители описание изглед
W632GG8MB-15 TR Image W632GG8MB-15 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W632GU6KB12I Image W632GU6KB12I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GG8MB-12 TR Image W632GG8MB-12 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Разследване
W632GG8MB12I TR Image W632GG8MB12I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Разследване
W632GU6KB-12 Image W632GU6KB-12 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GU6AB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W632GU6KB-11 Image W632GU6KB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Разследване
W632GU6KB-15 TR Image W632GU6KB-15 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GU6KB12J Image W632GU6KB12J Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Разследване
W632GU6AB-11 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Разследване
W632GU6KB-15 Image W632GU6KB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GU6KB-12 TR Image W632GU6KB-12 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GU6KB11I Image W632GU6KB11I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Разследване
W632GG8MB-11 TR Image W632GG8MB-11 TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Разследване
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Разследване
W632GG8MB-15 Image W632GG8MB-15 Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W632GU6KB12I TR Image W632GU6KB12I TR Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W632GG8MB15I Image W632GG8MB15I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W632GG8MB12I Image W632GG8MB12I Winbond Electronics Corporation IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Разследване

Latest News