| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | 830pF @ 25V |
| الجهد - انهيار: | D-Pak |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 235 mOhm @ 8A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFR13N20DTRR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 38nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.5V @ 250µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200V |
| نسبة السعة: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
