| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Tối đa): | ±18V |
| Công nghệ: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-220AB |
| Loạt: | - |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| Điện cực phân tán (Max): | 81W (Tc) |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-220-3 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Through Hole |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 6 Weeks |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 720pF @ 480V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 8V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 650V |
| miêu tả cụ thể: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
