TPH3206LDGB
TPH3206LDGB
Số Phần:
TPH3206LDGB
nhà chế tạo:
Transphorm
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 16A PQFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng:
36477 Pieces
Thời gian giao hàng:
1-2 days
Bảng dữliệu:
TPH3206LDGB.pdf

Giới thiệu

TPH3206LDGB giá tốt nhất và giao hàng nhanh.
BOSER Technology là nhà phân phối cho TPH3206LDGB, chúng tôi có các cổ phiếu để vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPH3206LDGB qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Email của chúng tôi: [email protected]

Thông số kỹ thuật

Điều kiện New and Original
Gốc Contact us
Nhà phân phối Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 500µA
Vgs (Tối đa):±18V
Công nghệ:GaNFET (Gallium Nitride)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PQFN (8x8)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 11A, 8V
Điện cực phân tán (Max):81W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:3-PowerDFN
Vài cái tên khác:TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 480V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:9.3nC @ 4.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):8V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
miêu tả cụ thể:N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận