| Tilstand | New and Original |
|---|---|
| Opprinnelse | Contact us |
| distributør | Boser Technology |
| Vgs (th) (Maks) @ Id: | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (maks): | ±18V |
| Teknologi: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Leverandør Enhetspakke: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds På (Maks) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 8V |
| Strømdissipasjon (maks): | 81W (Tc) |
| emballasje: | Tube |
| Pakke / tilfelle: | TO-220-3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Vannfølsomhetsnivå (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produsentens Standard Lead Time: | 6 Weeks |
| Inputkapasitans (Ciss) (Maks) @ Vds: | 720pF @ 480V |
| Gateavgift (Qg) (Maks) @ Vgs: | 6.2nC @ 4.5V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funksjonen: | - |
| Drivspenning (Maks. Rds På, Min Rds På): | 8V |
| Drain til Source Voltage (VDSS): | 650V |
| Detaljert beskrivelse: | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strøm - Kontinuerlig avløp (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
