TPH2R506PL,L1Q
TPH2R506PL,L1Q
型號:
TPH2R506PL,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
59911 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TPH2R506PL,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SOP Advance (5x5)
系列:U-MOSIX-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:4.4 mOhm @ 30A, 4.5V
功率耗散(最大):132W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QTR
工作溫度:175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:5435pF @ 30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:60nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
詳細說明:N-Channel 60V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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