TPH2900ENH,L1Q
TPH2900ENH,L1Q
型號:
TPH2900ENH,L1Q
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
描述:
MOSFET N-CH 200V 33A SOP8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
49750 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
TPH2900ENH,L1Q.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 1mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-SOP Advance (5x5)
系列:U-MOSVIII-H
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:29 mOhm @ 16.5A, 10V
功率耗散(最大):78W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QTR
工作溫度:150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:2200pF @ 100V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:22nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):200V
詳細說明:N-Channel 200V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
電流 - 25°C連續排水(Id):33A (Ta)
Email:[email protected]

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