SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3
型號:
SQJ992EP-T1_GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
44339 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SQJ992EP-T1_GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8 Dual
系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:56.2 mOhm @ 3.7A, 10V
功率 - 最大:34W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8 Dual
其他名稱:SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1-GE3-ND
SQJ992EP-T1_GE3-ND
SQJ992EP-T1_GE3TR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:446pF @ 30V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Standard
漏極至源極電壓(Vdss):60V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
電流 - 25°C連續排水(Id):15A
Email:[email protected]

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