SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SQJ992EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Electro-Films (EFI) / Vishay
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
จำนวน:
44339 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
แผ่นข้อมูล:
SQJ992EP-T1_GE3.pdf

บทนำ

SQJ992EP-T1_GE3 ราคาที่ดีที่สุดและจัดส่งที่รวดเร็ว
BOSER Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายสำหรับ SQJ992EP-T1_GE3 เรามีสต็อคสำหรับจัดส่งได้ทันทีและยังมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานาน โปรดส่งแผนซื้อของคุณสำหรับ SQJ992EP-T1_GE3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New and Original
ที่มา Contact us
ผู้จัดจำหน่าย Boser Technology
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.5V @ 250µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PowerPAK® SO-8 Dual
ชุด:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:56.2 mOhm @ 3.7A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:34W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:PowerPAK® SO-8 Dual
ชื่ออื่น:SQJ992EP-T1-GE3
SQJ992EP-T1-GE3-ND
SQJ992EP-T1_GE3-ND
SQJ992EP-T1_GE3TR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:446pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:12nC @ 10V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Standard
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
คำอธิบายโดยละเอียด:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:15A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ข่าว Latest