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SI6562CDQ-T1-GE3
- 型號:
- SI6562CDQ-T1-GE3
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 61319 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
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產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1.5V @ 250µA |
| 供應商設備封裝: | 8-TSSOP |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 1.6W, 1.7W |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 其他名稱: | SI6562CDQ-T1-GE3CT |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 850pF @ 10V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 23nC @ 10V |
| FET型: | N and P-Channel |
| FET特點: | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 20V |
| 詳細說明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 6.7A, 6.1A |
| 基礎部件號: | SI6562 |
| Email: | [email protected] |
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