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SI1905BDH-T1-E3
- 型號:
- SI1905BDH-T1-E3
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 無鉛/符合RoHS
- 數量:
- 43079 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
簡單介紹
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產品特性
| 狀況 | New and Original |
|---|---|
| 來源 | Contact us |
| 分銷商 | Boser Technology |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 250µA |
| 供應商設備封裝: | SC-70-6 (SOT-363) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 357mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 62pF @ 4V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特點: | Logic Level Gate |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 8V |
| 詳細說明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 630mA |
| 基礎部件號: | SI1905 |
| Email: | [email protected] |
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