SI1905BDH-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1905BDH-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
43079 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1905BDH-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:542 mOhm @ 580mA, 4.5V
Potenza - Max:357mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:62pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):8V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:630mA
Numero di parte base:SI1905
Email:[email protected]

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