SI1902DL-T1-E3
Modello di prodotti:
SI1902DL-T1-E3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
63262 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI1902DL-T1-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:SC-70-6 (SOT-363)
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Potenza - Max:270mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SI1902DL-T1-E3TR
SI1902DLT1E3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.2nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:660mA
Numero di parte base:SI1902
Email:[email protected]

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