SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3
型號:
SI1317DL-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
34527 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
SI1317DL-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:800mV @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-323
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:150 mOhm @ 1.4A, 4.5V
功率耗散(最大):500mW (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封裝/箱體:SC-70, SOT-323
其他名稱:SI1317DL-T1-GE3CT
工作溫度:-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:272pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.5nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.8V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 1.4A (Tc) 500mW (Tc) Surface Mount SOT-323
電流 - 25°C連續排水(Id):1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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