IPP023NE7N3 G
IPP023NE7N3 G
型號:
IPP023NE7N3 G
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
54164 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
IPP023NE7N3 G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 測試:14400pF @ 37.5V
電壓 - 擊穿:-
VGS(TH)(最大)@標識:2.3 mOhm @ 100A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
系列:OptiMOS™
RoHS狀態:Cut Tape (CT)
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:120A (Tc)
極化:TO-220-3
其他名稱:IPP023NE7N3 GCT
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IPP023NE7N3 G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:206nC @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.8V @ 273µA
FET特點:N-Channel
展開說明:N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole
漏極至源極電壓(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
電流 - 25°C連續排水(Id):75V
電容比:300W (Tc)
Email:[email protected]

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