IPP023NE7N3 G最高の価格と速い配達。
BOSER Technology IPP023NE7N3 Gのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にIPP023NE7N3 Gのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
IPP023NE7N3 G
- 部品型番:
- IPP023NE7N3 G
- 説明:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO220
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 54164 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- IPP023NE7N3 G.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - テスト: | 14400pF @ 37.5V |
| 電圧 - ブレークダウン: | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| RoHSステータス: | Cut Tape (CT) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 120A (Tc) |
| 偏光: | TO-220-3 |
| 他の名前: | IPP023NE7N3 GCT |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | IPP023NE7N3 G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 206nC @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 3.8V @ 273µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 75V |
| 静電容量比: | 300W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIPP023NE7N3 G
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く