FDN359BN
型號:
FDN359BN
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
63722 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.FDN359BN.pdf2.FDN359BN.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SuperSOT-3
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:46 mOhm @ 2.7A, 10V
功率耗散(最大):500mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:FDN359BN-ND
FDN359BN_F095
FDN359BN_F095TR
FDN359BN_F095TR-ND
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSTR-ND
FDN359BNOSTR
FDN359BNTR
FDN359BNTR-ND
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:42 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:650pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:7nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
電流 - 25°C連續排水(Id):2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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