FDN359BN
Número de pieza:
FDN359BN
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
63722 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.FDN359BN.pdf2.FDN359BN.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:46 mOhm @ 2.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:FDN359BN-ND
FDN359BN_F095
FDN359BN_F095TR
FDN359BN_F095TR-ND
FDN359BNF095
FDN359BNFSTR
FDN359BNFSTR-ND
FDN359BNOSTR
FDN359BNTR
FDN359BNTR-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:650pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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