CSD19532KTT
型號:
CSD19532KTT
製造商:
TI
描述:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
49594 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
CSD19532KTT.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
電壓 - 測試:5060pF @ 50V
電壓 - 擊穿:DDPAK/TO-263-3
VGS(TH)(最大)@標識:5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(最大):6V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
系列:NexFET™
RoHS狀態:Tape & Reel (TR)
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:200A (Ta)
極化:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:296-44970-2
CSD19532KTT-ND
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):2 (1 Year)
製造商標準交貨期:13 Weeks
製造商零件編號:CSD19532KTT
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:57nC @ 10V
IGBT類型:±20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:3.2V @ 250µA
FET特點:N-Channel
展開說明:N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
漏極至源極電壓(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
電流 - 25°C連續排水(Id):100V
電容比:250W (Tc)
Email:[email protected]

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