CSD19531Q5AT
型號:
CSD19531Q5AT
製造商:
TI
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
[LeadFreeStatus]未找到翻译
含鉛/符合RoHS
數量:
60952 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
CSD19531Q5AT.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:3.3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:8-VSONP (5x6)
系列:NexFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:6.4 mOhm @ 16A, 10V
功率耗散(最大):3.3W (Ta), 125W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-PowerTDFN
其他名稱:296-37749-2
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:35 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Contains lead / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:3870pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:48nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):6V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 100A (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
電流 - 25°C連續排水(Id):100A (Ta)
基礎部件號:CSD19531
Email:[email protected]

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