IRFD213
Artikelnummer:
IRFD213
Tillverkare:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Beskrivning:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
Kvantitet:
55968 Pieces
Leveranstid:
1-2 days
Datablad:
IRFD213.pdf

Introduktion

IRFD213 bästa pris och snabb leverans.
BOSER Technology är distributören för IRFD213, vi har bestånden för omgående leverans och även tillgänglig för lång tid leverans. Vänligen skicka oss din köpplan för IRFD213 via e-post, vi ger dig det bästa priset enligt din plan.
Vår email: [email protected]

Specifikationer

Tillstånd New and Original
Ursprung Contact us
Distributör Boser Technology
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverantörs Device Package:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serier:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 270mA, 10V
Effektdissipation (Max):-
Förpackning:Tube
Förpackning / Fodral:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Through Hole
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Contains lead / RoHS non-compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 25V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 10V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Avlopp till källspänning (Vdss):250V
detaljerad beskrivning:N-Channel 250V 450mA (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:450mA (Ta)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer