| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 8.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 250V 450mA (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 450mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
