IRFD024PBF
IRFD024PBF
Modello di prodotti:
IRFD024PBF
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
40163 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IRFD024PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi:*IRFD024PBF
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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