| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±12V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 6-microfoot |
| Серии: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 6-UFBGA |
| Другие названия: | SI8497DB-T2-E1TR SI8497DBT2E1 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1320pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
