| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Tối đa): | ±12V |
| Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | 6-microfoot |
| Loạt: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Điện cực phân tán (Max): | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | 6-UFBGA |
| Vài cái tên khác: | SI8497DB-T2-E1TR SI8497DBT2E1 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 1320pF @ 15V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Loại FET: | P-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 2V, 4.5V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 30V |
| miêu tả cụ thể: | P-Channel 30V 13A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-microfoot |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
