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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > JAN2N3767
JAN2N3767
Modelo do Produto:
JAN2N3767
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS NPN 80V 4A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
68736 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
JAN2N3767.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:2.5V @ 100mA, 1A
Tipo transistor:NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-66 (TO-213AA)
Série:Military, MIL-PRF-19500/518
Power - Max:25W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-213AA, TO-66-2
Outros nomes:1086-20915
1086-20915-MIL
Temperatura de operação:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 25W Surface Mount TO-66 (TO-213AA)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 500mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500µA
Atual - Collector (Ic) (Max):4A
Email:[email protected]

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