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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-Einzel > JAN2N3767
JAN2N3767
Artikelnummer:
JAN2N3767
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 4A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Anzahl:
68736 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
JAN2N3767.pdf
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Spezifikation

Bedingung New and Original
Ursprung Contact us
Verteiler Boser Technology
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):80V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:2.5V @ 100mA, 1A
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:TO-66 (TO-213AA)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/518
Leistung - max:25W
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:TO-213AA, TO-66-2
Andere Namen:1086-20915
1086-20915-MIL
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:22 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 25W Surface Mount TO-66 (TO-213AA)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:40 @ 500mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max):500µA
Strom - Kollektor (Ic) (max):4A
Email:[email protected]

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